【消費電子實驗室-2016/5/21】深藍巨人又要引領變革？IBM周二宣布了“相變存儲”技術（phase-change memory ，PCM）的重要進步。相變存儲技術的開發已有多年時間，IBM認為，這項技術的成本已降至可接受的范圍，從而可以進入商用階段。因此，新一代的存儲技術已經誕生，這一技術便是相變存儲。
IBM相變存儲芯片 事實上，PCN相變存儲并非什么新鮮的技術，在過去的幾十年以來PCM技術一直被使用在光盤上。只不過在過去業界認為，PCM成本過高，而且每個單元只能儲存1或2個比特位數據，并不能很好的應用于存儲方面。 而此次IBM的科學家所做出的主要貢獻便在于擴展每個PCM單元中可以容納3比特位數據。此外，PCM可以利用電流實現在非晶玻璃上寫入和讀取數據，這也使得PCM技術比閃存更快，能力更強。 “相變存儲技術將會和DRAM、閃存一樣成為通用存儲器，我們做出了第一個實例，從而完成了行業的一個巨大大挑戰。”IBM首席研究員Haris Pozidis在瑞士蘇黎世IBM研究中心如此說道。 “達到每單元3比特位是一個重要的里程碑，因為在這個密度PCM的成本將大大低于同等性質的DRAM或者閃存。”目前，大部分的智能手機和筆記本電腦采用了DRAM和閃存結合的方法進行存儲，前者通常作為動態存儲設備，后者被用來存儲長期數據。 在過去，阻礙PCM的最大因素是其成本，但是在現在，于成本之外PCM能夠提供更多的優勢，而且這些優勢遠大于其成本的投入。這也是PCM可以取代現有存儲的前提條件。 PCM并沒有DRAM快，優勢是便宜很多 PCM吸取了DRAM和閃存兩者共同的優點。盡管PCM的速度并沒有DRAM那么快，但是，DRAM的價格要比PCM貴太多，卻只比PCM快5到10倍。而PCM的速度卻可以比閃存理論上快70倍，在實際應用中往往超過100倍。 而且，IBM指出PCM的另一個優點是可以保持至少1000萬次讀寫，這幾乎是相當于存儲獲得了終身保修的概念。而閃存則要差很多，只有3000次左右。 當然，新的內存技術不斷的炒作，IBM的PCM也并非是唯一的一家。在去年的時候，英特爾所推出的3D Xpoint存儲技術被稱為是比閃存快1000倍的技術。 小貼士：PCM工作原理 PCM的工作原理是利用電流將數據存儲在一個芯片，然后改變單元的狀態，由一個非晶體（非結構化）狀態變為結晶（結構化）狀態。然后數據狀態可以由計算機依次讀取，例如0為非晶體，1為結晶狀態。 IBM的研究者在此所做的事情是改變該進程中的溫度，并進行控制，當電流通過加熱的單元時，可以讓多大3個比特單位被存儲在該單元。由于PCM獲取了這種能力，該技術也就可以成為在商業上比DRAM和閃存更有吸引力的一種選擇。 根據IBM的多位PCM存儲器來看手機開機，在短短的幾秒鐘之內該過程就可以完成。而研究人員認為，這種處理速度幾乎只有谷歌或者Facebook的數據中心才能看到更快的。 |
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