【消費電子實驗室-2024/9/12】近日，由北京顯芯科技有限公司參與研制的全球首款28nm內(nèi)嵌RRAM（阻變存儲器）畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片在京量產(chǎn)，并成功應(yīng)用于國內(nèi)頭部客戶的Mini LED高端系列電視中，標(biāo)志著我國顯示類芯片達(dá)到新的半導(dǎo)體工藝高度。

這款芯片是國內(nèi)首款自主研發(fā)的28nm顯示芯片，也是全球首個采用28nm嵌入式RRAM IP的先進(jìn)商用畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片，具備完全自主知識產(chǎn)權(quán)。

據(jù)悉，雖然當(dāng)前，全球半導(dǎo)體頂尖工藝已經(jīng)來到2nm時代，但對于半導(dǎo)體顯示來說，綜合考慮成本問題，28nm是目前國內(nèi)工藝的天花板。畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片要求集成各種補(bǔ)償算法，開發(fā)難度高，制造要求先進(jìn)邏輯制程，是顯示芯片品類國產(chǎn)化率最低的產(chǎn)品之一。‌

顯芯科技耗時四年，于2023年成功開發(fā)此款28nm畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片，內(nèi)置RRAM存儲模塊。其中，存儲核心技術(shù)和RRAM IP來自科研院所的成果轉(zhuǎn)化，畫質(zhì)調(diào)節(jié)算法由顯芯科技自研。

與傳統(tǒng)的“TCON+外置FLASH存儲器（快閃存儲器）”的技術(shù)路線不同，顯芯科技采用了“數(shù)字芯片+內(nèi)置RRAM（可變電阻式存儲器）”模式，有效解決了外部存儲器件成本高和讀寫速度慢的問題。同時，該款芯片在28nm工藝節(jié)點片上直接集成RRAM IP，使其成本更低、面積更小、效率更高，使其在高端MiniLED電視等領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。

這款28nm顯示芯片的成功研發(fā)和量產(chǎn)，對于推動中國芯片國產(chǎn)化進(jìn)展具有重要意義，同時也是全面破除海外顯示技術(shù)壟斷的標(biāo)志性產(chǎn)品。