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聯電:14nm良率突破90%

2023-5-11 18:06| 發布者: cncelab| 查看: 1231| 評論: 0

摘要: 在14nm制程技術方面,目前客戶以14FFC平臺設計的產品良率已突破90%,性能更滿足客戶需求,也已成功的導入5G及網通等應用,并且順利進入量產。
【消費電子實驗室-2023/5/11】據報道,聯電董事長洪嘉聰在致股東報告書中指出,今年面臨景氣起伏調整與地緣政治挑戰,聯電會持續通過創新、差異化的特殊制程技術、卓越的晶圓制造以及多元區域化的產能配置,達成與客戶緊密的策略伙伴關系,在5G、AIoT、電動車等大趨勢下,樂觀看待半導體長期需求成長。

從長期目標來看,洪嘉聰表示,制程研發和穩定獲利一直是聯電營運重心,將聚焦具有技術差異化及領先的特殊制程,包括低功耗邏輯、雙極-互補金屬氧化半導體-雙重擴散金屬氧化半導體(BCD)、嵌入式高壓(eHV)、嵌入式非易失性記憶體(eNVM)、射頻絕緣半導體(RFSOI)等。

在14nm制程技術方面,目前客戶以14FFC平臺設計的產品良率已突破90%,性能更滿足客戶需求,也已成功的導入5G及網通等應用,并且順利進入量產。

22nm制程部分,與28nm高性能精簡型制程技術平臺(28HPC)具有相同光罩層數及相容的設計準則,但22nm制程技術性能提升10%、功耗降低20%、晶粒尺寸減少10%,因此,22nm制程技術的成本競爭力大大提升,進而提供客戶更多選擇。

關于顯示器驅動器與功率管理制程技術,22nm高壓25V制程技術的LTPO OLED面板驅動芯片產品已完成驗證程序,今年進入試產;28nm超低功耗嵌入高壓主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)顯示屏驅動芯片制程技術的開發,也已完成元件模型及設計規范,同樣在今年進入試產。

聯電強調,集團在化合物半導體領域,主要布局通訊元件與第三類半導體功率元件等利基市場,砷化鎵元件部分,針對既有HBT功率放大器持續加入SAWWfilter整合方案,提供手機射頻前端模組與WiFi6/7通訊模組整合制造方案。

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