【消費電子實驗室-2022/11/23】據報道，韓國三星雖然搶先臺積電量產了3nm GAA（Gate-all-around，環繞柵極）芯片，但不代表進展順利。最新的爆料稱，三星3nm GAA制程的良率非常糟，僅為20%，為了解決這困境，三星計劃通過與美國公司合作提高良率。

今年6月30日，三星電子正式對外宣布，其已開始大規模生產基于3nm GAA制程工藝技術的芯片，這也使得三星搶先臺積電成為了全球首家量產3nm的晶圓代工企業。

但是，三星在此前5nm、4nm時就遭遇了良率問題，使得高通之后不得不將驍龍8＋ Gen1交給了臺積電4nm代工。因此，三星3nm GAA制程在搶先臺積電量產之后，其良率也備受外界關注。

報道稱，三星將與美國Silicon Frontline Technology公司合作，以提高3nm GAA 良率。為何Silicon Frontline Technology 是理想的合作伙伴呢？因為三星希望借水質和靜電放電預防技術降低生產過程缺點，提高晶圓良率。而靜電放電是晶圓生產過程產生問題重要原因，這可以解釋三星3nm GAA 良率過低的理由。

到目前為止，三星雖號稱通過整合合作伙伴技術取得積極成果，但實際還需觀察幾個月。如果三星3nm GAA 制程低良率問題無法解決，客戶可能將不愿再下訂單，進而轉向等待臺積電的3nm工藝。