| 【消費電子實驗室-2021/9/17】雖然EUV號稱擁有十萬個精密零件，但其難度系數最高、最核心的技術只有三項，分別是：光源、光學鏡頭、雙工件臺系統。
在今年初，由唐傳祥教授帶領的清華科研團隊，通過SSMB認證探索出了一種新型加速粒子加速器“穩態微聚束”，其波長可從太赫茲覆蓋到極紫外光波段，而極紫外光正是EUV設備的核心光源技術。 這意味著，被美企所壟斷的光源技術正式被中國科學家打破。業內人士表示：研發出了自主光源，就等于EUV光刻機研發完成了一半。 另據媒體報道，在清華科研團隊的技術支持下，華卓精科自主研發的雙工件臺系統實現了全面升級，其應用精度現階段已達到了1.8nm的全球頂尖水平。 要知道，雙工件臺是ASML應用于EUV光刻設備的為數不多的獨有技術，就連日本老牌光刻巨頭尼康和佳能，也沒能達到比肩ASML的1.8nm水平。 ASML之所以會不看好我們實現高精尖光刻設備的國產化，很大原因就是它對自己所壟斷的雙工件臺技術相當自信。可沒想到打臉會來的這么快。
特別值得一提的是，在光源系統和光學鏡頭方面，中科院的首臺高能輻射光源與中科科美的0.1nm鍍膜裝置均已投入使用。 綜上所述，現階段EUV最復雜的三大核心技術均已完成突破，正如林毅夫教授所預言的那樣：國產高精尖光刻設備的落地應用，在三年之內或許就能完成。 |
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